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(資料圖)

igbt的全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管的意思。它相當(dāng)于電路開(kāi)關(guān)，具有穩(wěn)定控制電壓，耐壓性強(qiáng)等熱點(diǎn)，多在直流電壓為500伏或以上的變流系統(tǒng)中使用。

對(duì)于很多東西來(lái)講，它們的全稱太過(guò)于復(fù)雜，所以為了更方便記憶，經(jīng)常使用簡(jiǎn)稱。igbt的全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就是絕緣柵雙極型晶體管的意思。

從功能方面來(lái)說(shuō)，igbt相當(dāng)于是一個(gè)電路開(kāi)關(guān)，最大的優(yōu)點(diǎn)就是能穩(wěn)定的控制住電壓，耐壓性強(qiáng)，因此經(jīng)常用在電壓幾十到幾百伏的強(qiáng)電流上，且它不是用機(jī)械按鈕控制的，而是由計(jì)算機(jī)控制的。

igbt綜合了兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，所以在使用的時(shí)候功率較小，飽和壓低，所以經(jīng)常在直流電壓為600伏特或者是以上的變流系統(tǒng)中使用，常見(jiàn)的有交流電機(jī)、開(kāi)關(guān)電源、變頻器等等。

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